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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>功率半導(dǎo)體迎來(lái)漲價(jià)潮:英飛凌MOSFET預(yù)計(jì)漲幅12%

功率半導(dǎo)體迎來(lái)漲價(jià)潮:英飛凌MOSFET預(yù)計(jì)漲幅12%

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電子散熱與溫控領(lǐng)域中,半導(dǎo)體制冷片因其高效、無(wú)噪音、無(wú)振動(dòng)等優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮半導(dǎo)體制冷片的性能,關(guān)鍵在于準(zhǔn)確計(jì)算其實(shí)際功率需求。若功率匹配不當(dāng),可能導(dǎo)致能效低下甚至設(shè)備損壞。本文
2025-09-04 14:34:44990

工業(yè)“芯”變局:TI全線漲價(jià),國(guó)產(chǎn)芯伯樂(lè)助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)

體,甚至包括在途貨物。這場(chǎng)漲價(jià)席卷了工業(yè)控制、汽車(chē)電子和通信設(shè)備三大領(lǐng)域,正在重塑中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈格局。01TI漲價(jià):行業(yè)格局的震動(dòng)作為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)龍頭,
2025-08-30 19:05:07609

48V替代12V的時(shí)代正在到來(lái),功率半導(dǎo)體是關(guān)鍵

、電動(dòng)化升級(jí),汽車(chē)48V低壓系統(tǒng)也正在逐步提升各大車(chē)企、汽車(chē)供應(yīng)鏈的研發(fā)日程。 英飛凌汽車(chē)業(yè)務(wù)大中華區(qū) 48V系統(tǒng) 應(yīng)用工程師 木林森 從過(guò)去12V到48V,汽車(chē)低壓系統(tǒng)架構(gòu)未來(lái)的升級(jí)方向,是由整車(chē)低壓系統(tǒng)功率需求所驅(qū)動(dòng)的。英飛凌汽車(chē)業(yè)務(wù)
2025-08-29 07:58:008572

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)

8月26日上午,英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊,以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術(shù)設(shè)計(jì),榮獲2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新
2025-08-27 17:06:001305

引領(lǐng)高效能新紀(jì)元:基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

引領(lǐng)高效能新紀(jì)元:傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,對(duì)高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體(BASiC
2025-08-25 18:07:22836

一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng),包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及交流電(AC)和直流電(DC)之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664

英飛凌CoolSiC? MOSFET Gen2:性能全面升級(jí),工業(yè)應(yīng)用的理想選擇!

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

【2025年8月1日,德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506

RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見(jiàn)類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限,成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250

iDEAL半導(dǎo)體與Mouser電子簽署全球銷售協(xié)議,基于SuperQ技術(shù)的功率元件進(jìn)入量產(chǎn)

突破性的 SuperQ 技術(shù)標(biāo)志著自 25 年前 Super Junction 以來(lái) 硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)展。 ? 美國(guó)賓州利哈伊谷,2025年7月24日?– iDEAL半導(dǎo)體,一家
2025-07-28 16:18:19880

突圍進(jìn)行時(shí):功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)行到哪了?

隨著全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速,新能源汽車(chē)、人形機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)攀升。 中國(guó)作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),發(fā)展前景十分廣闊。然而功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繁榮背后暗藏隱憂。 國(guó)內(nèi)功率
2025-07-18 14:51:45824

安世半導(dǎo)體CCPAK1212 MOSFET在線研討會(huì)回顧

近日,安世半導(dǎo)體在線研討會(huì)聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET,如何滿足下一代工業(yè)應(yīng)用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887

現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書(shū)中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(下篇)

、交流導(dǎo)語(yǔ):6月初參加了第十七屆國(guó)際汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC2025),作為年會(huì)核心板塊的“新能源汽車(chē)及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇”,匯聚了英飛凌、Yole、比
2025-07-07 05:58:471038

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(中篇)

、交流導(dǎo)語(yǔ):6月初參加了第十七屆國(guó)際汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC2025),作為年會(huì)核心板塊的“新能源汽車(chē)及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇”,匯聚了英飛凌、Yole、比
2025-06-28 11:03:091535

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(上篇)

、交流導(dǎo)語(yǔ):上周去參加了第十七屆國(guó)際汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC2025),作為年會(huì)核心板塊的“新能源汽車(chē)及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇”,匯聚了英飛凌、Yole、比
2025-06-28 06:41:151313

大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手?;蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04

美國(guó)造車(chē)新勢(shì)力Rivian,下一代車(chē)型將使用英飛凌功率模塊

英飛凌預(yù)計(jì)將從2026年開(kāi)始供貨。此外,英飛凌還將為該平臺(tái)提供其他產(chǎn)品,包括AURIX ?TC3x微控制器和電源管理IC。 ? HybridPACK Drive是英飛凌面向電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)領(lǐng)先功率模塊
2025-06-22 00:02:002999

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤(pán)式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開(kāi)關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì),成為理想選擇。基本半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊,憑借其高性能與高可靠性,為盤(pán)式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)革新突破。
2025-06-19 16:59:06729

英飛凌將為Rivian的R2平臺(tái)供應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的功率模塊

? 【 2025 年 6 月 10 日,德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)將為Rivian的R2平臺(tái)提供
2025-06-11 09:57:094156

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場(chǎng)變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)
2025-06-09 07:07:17727

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET

氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。 他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET? 當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候,它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí),你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)
2025-06-03 15:39:43

功率半導(dǎo)體廠商揚(yáng)杰科技上榜央視“CCTV品牌強(qiáng)國(guó)工程”

制造企業(yè)共同詮釋“功率擔(dān)當(dāng)、值得信賴”的精神內(nèi)涵,向全國(guó)乃至全球展示江蘇制造業(yè)的創(chuàng)新實(shí)力與品牌魅力。 當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)智能化、低碳化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵期,5G通信、新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長(zhǎng),推動(dòng)功率半導(dǎo)體
2025-05-27 18:55:491162

納微半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源

近日,納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì),可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。
2025-05-27 16:35:011291

瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)??s減 比亞迪半導(dǎo)體首進(jìn)前十

2025財(cái)年第二季度,英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財(cái)報(bào),顯示全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已縮減至323億美元,這一變化標(biāo)志著市場(chǎng)格局的顯著調(diào)整。在這份財(cái)報(bào)
2025-05-13 11:23:501027

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證,適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境,重點(diǎn)確??煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39980

上汽英飛凌無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體項(xiàng)目 投資3.1億元提升產(chǎn)能!

近日,上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣,計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司,旨在進(jìn)一步提升其生
2025-04-21 11:57:13787

科士達(dá)與英飛凌深入合作,全棧創(chuàng)新方案引領(lǐng)高頻大功率UPS市場(chǎng)新趨勢(shì)

?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達(dá)已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26826

功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化先鋒:長(zhǎng)晶科技的創(chuàng)新與崛起

場(chǎng)浪潮中,長(zhǎng)晶科技憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,成為國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的標(biāo)桿企業(yè)。 技術(shù)創(chuàng)新:突破高端功率器件壁壘 長(zhǎng)晶科技聚焦功率半導(dǎo)體核心器件,在MOSFET和IGBT兩大領(lǐng)域取得顯著成果。在消費(fèi)電子領(lǐng)域
2025-04-09 17:25:321180

功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開(kāi)啟能源與智能新紀(jì)元

本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇,并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445

互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

引言 隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2],已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件,最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50

半導(dǎo)體行業(yè)激蕩2025:缺貨、漲價(jià)與國(guó)產(chǎn)替代的突圍戰(zhàn)

半導(dǎo)體行業(yè)激蕩2025:缺貨、漲價(jià)與國(guó)產(chǎn)替代的突圍戰(zhàn)
2025-03-27 10:18:561648

從陳星弼院士無(wú)奈賣(mài)出超結(jié)MOSFET專利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國(guó)龍崛起

中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(jié)MOSFET專利到全國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)技術(shù)的崛起,這一歷程體現(xiàn)了中國(guó)在核心技術(shù)攻關(guān)
2025-03-27 07:57:17684

MOSFET與IGBT的區(qū)別

的主要因素,討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?SMPS的進(jìn)展一直以來(lái),離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動(dòng)。作為主要的功率開(kāi)關(guān)器件IGBT、功率MOSFET功率二極管正不斷
2025-03-25 13:43:17

MOSFET在AI中的應(yīng)用 #MOSFET #半導(dǎo)體 #電子 #人工智能

半導(dǎo)體
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2025-03-21 17:32:06

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

4月1日起漲價(jià)超10%,閃迪預(yù)計(jì)存儲(chǔ)供不應(yīng)求

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ,日前,Sandisk(閃迪)發(fā)布漲價(jià)通知函顯示,Sandisk計(jì)劃從4月1日起對(duì)所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品漲價(jià),漲幅將超過(guò)10%。 ? Sandisk在通知函中表
2025-03-10 09:10:07811

見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!

進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于IGBT!主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386

華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì),共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172

納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867

英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產(chǎn)品概述

英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)進(jìn)行了優(yōu)化。
2025-02-20 18:07:182813

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2024年預(yù)計(jì)強(qiáng)勁復(fù)蘇

根據(jù)知名調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint的最新報(bào)告,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)(涵蓋存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè))在2024年有望迎來(lái)強(qiáng)勁復(fù)蘇。預(yù)計(jì)全年?duì)I收將達(dá)到6210億美元,同比增長(zhǎng)高達(dá)19%。這一顯著增長(zhǎng)主要?dú)w因于
2025-02-17 09:46:03888

功率半導(dǎo)體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程

2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng),打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái),集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門(mén)產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742

2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將增至7050億美元

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner的最新數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)持續(xù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2025年,全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到7050億美元,同比增長(zhǎng)12.6%。這一增長(zhǎng)趨勢(shì)將在2024年強(qiáng)勁增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上得以實(shí)現(xiàn),2024年半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)為6260億美元,同比增長(zhǎng)18.1%。
2025-02-08 16:36:441309

2025 廣州!功率半導(dǎo)體展重磅來(lái)襲,光伏、新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新契機(jī)?

在全球科技蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,功率半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心支撐,正以前所未有的速度推動(dòng)著光伏、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的變革。隨著中國(guó)在這些優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)力,功率半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了黃金
2025-02-08 09:11:49872

濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

近年來(lái),隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527

意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái),本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501641

全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)大幅增長(zhǎng)

近日,根據(jù)知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner的最新數(shù)據(jù)顯示,全球半導(dǎo)體行業(yè)在2025年有望迎來(lái)顯著增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)該年度的全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)到7050億美元,相較于前一年度實(shí)現(xiàn)12.6%的增幅。 這一
2025-02-06 11:35:03854

泰瑞達(dá)與英飛凌建立戰(zhàn)略合作,共推功率半導(dǎo)體測(cè)試發(fā)展

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)(Teradyne)與功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌(Infineon)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,旨在共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展。 作為此次戰(zhàn)略合作
2025-02-06 11:32:51935

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:50:270

英飛凌泰國(guó)新廠破土動(dòng)工,2026年初投產(chǎn)功率模塊

近日,英飛凌科技在泰國(guó)曼谷南部的北欖府正式啟動(dòng)了一座新的功率半導(dǎo)體模塊制造廠的建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著英飛凌在制造布局多元化方面邁出了重要的一步。
2025-01-22 18:15:571282

英飛凌將在泰國(guó)新建半導(dǎo)體工廠

德國(guó)半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技(Infineon Technologies)近日宣布了一項(xiàng)重要決策,將在泰國(guó)設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠。這座工廠將專注于功率半導(dǎo)體的組裝工作,屬于“后工序”生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
2025-01-22 15:48:001025

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328

AUTO TECH China 2025 廣州國(guó)際新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì):綠色動(dòng)力,智領(lǐng)未來(lái)

隨著全球新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速擴(kuò)張,中國(guó)市場(chǎng)表現(xiàn)尤為突出。功率半導(dǎo)體作為提升能源效率和車(chē)輛性能的關(guān)鍵技術(shù),正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。在中國(guó),隨著國(guó)家政策的大力支持和市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)
2025-01-06 09:30:23876

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